而想要在二氧化碳激光器上实现如此高的功率，普通的技术完全行不通，而华国当前的二氧化碳激光器在功率上并不能达到这种要求，而需要知道的是，这个功率，最终影响的就是EUV光源的实际功率。
如果EUV光源没有足够大的功率，对他们的影响，十分之大。
此外，还有其他几种EUV光源中较为重要的传感器也遭到了制裁。
这样一来，他们再想要研发光刻机，就必须先在这些方面实现突破，否则光源搞不出来，全部都白搭。
一时之间，华国半导体界，又掀起了一片唱衰的声音。
要是继续一个一个地搞下去，他们得花多少时间？
到时候国外说不定早就找到了能够突破现有光刻机的技术了。
而除了这些和光刻机技术有关的东西之外，国外又在原材料之一的光掩膜版上面进行了制裁，光掩膜版是光刻流程中同样十分重要的东西，只有通过掩膜版，极紫外光才能实现直接光刻。
而现在主流掩膜版中，都是以石英作为材料的，而这次主要制裁项目，就是这种石英材料，而这种石英材料的生产工艺难度十分高，国内一直都需要进口国外的。